【文章信息】新型宽带隙InOCl界面层钝化In2S3/Sb2(S,Se)3异质结太阳能电池界面缺陷第一作者：推出台王长雪通讯作者：推出台周儒*单位：合肥工业大学，牛津大学【研究背景】Sb2S3、Sb2Se3、Sb2(S,Se)3等锑基硫属化合物凭借其优异的材料和光电性能，如吸收系数高（~105 cm-1）、带隙可调（1.1-1.7eV）、原料丰富且环境友好、易于制备、材料稳定性优异等优点，在太阳能电池领域获得广泛关注。

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