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罗鑫教授，使用中山大学物理学院教授，使用2011年于中山大学获博士学位，2011年至2013年在新加坡高性能计算研究院担任scientist,2013年至2017年在新加坡国立大学先进二维材料研究中心任研究员，2017年至2018年在香港理工大学担任独立PI助理教授（研究），随后就职于中山大学任正教授电量c）MBE在2英寸SiO2/Si晶圆片上生长的单层TaS2和双层Ta7S12的照片。

插层原子占据了vdW间隙的八面体空位，传感其化学计量相和物性可以通过改变反应物的化学势来进行修饰和调节。同时致力于新一代的半导体材料研发，正确实现了石墨烯量子点与高张力石墨烯的可控合成。这种自插层的TMD化合物可以在高金属原子化学势的生长条件下，使用以局部能量最小值存在插层相图中。

电量这已被证明可以诱导出晶体中的准2D特性并改变其电子特性。这项工作的意义在于使双层（或更厚的）2D材料可以转化为超薄、传感共价键结合的准2D材料，传感通过改变自插层原子的浓度，可以在很大的范围内调控其化学计量与物理特性。

较低的Ta通量产生H相TaS2，正确而较高的Ta通量产生自嵌入相。

使用传统的电化学插层通常是通过后生长处理来实现的。H、电量C和N原子分别用白色、灰色和蓝色的球体表示。

b)FT-IR图谱(25、传感50、100、200和500代表β-CyD的含量，单位为mg)。除此之外，正确超薄多孔管状CN/C-DotsLHSs还具有优异的电催化HER和OER性能。

使用d)CN/C-Dots100不加助催化剂产氢稳定性测试和量子产率。与CN相比，电量超薄管状多孔CN/C-DotsLHSs具有显著提升的光催化HER活性(提升了近113倍)24760μmolh-1g-1(λ420nm)，电量量子产率为21.2%，远高于目前已报道的纯或非金属修饰CN纳米管。